China 1064nm Kreesfërmeg Top-Hat Beam Shaping DOE | Φ50µm Flat-Top Spot fir Infrarout (IR) Laser Produktioun a Fabréck

1064nm Kreesfërmeg Top-Hat-Strahlformung DOE | Φ50µm Flat-Top Spot fir Infrarout (IR) Laser

Straleformend DOEs kreéieren flaach Stralen, déi duerch eng eenheetlech Intensitéit, géi Iwwergäng un de Grenzen a Formen, déi vum Endbenotzer definéiert sinn, charakteriséiert sinn. Wéinst dëser Villfältegkeet gehéieren si zu de meescht benotzten diffraktiven opteschen Elementer, déi haut verfügbar sinn.

Kategorie	Parameter	Spezifikatioun
Systemparameter	Designwellenlängt [nm]	1064
	Strahlqualitéit (M²)	≤ 1,2
	Gréisst vun der Input-Strahl (e⁻²) [mm]	8
	Brennwäit vum Fokusmodul [mm]	75
DOE-Parameteren	DOE Kloer Blend [mm]	Φ20
	DOE Mechaneschen Äusseren Duerchmiesser [mm]	Φ25,4 × 2
	Bestellung	16
Ausgangsparameter	Geformte Balkenform	Kreesfërmeg
	Gréisst vun der geformter Balke [µm]	Φ50
	Geformte Strahluniformitéit (RMS)	> 90%
	Total Diffraktiounseffizienz (e⁻²)	> 90%

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Eng spezifesch Liichtintensitéitsverdeelung gëtt op enger gewielter Fläch (normalerweis am Onendlechen oder an der Brennfläch vun der Lëns) duerch Interferenzeffekter produzéiert. Dëst gëtt méiglech gemaach andeems d'Diffraktiounsuerdnungen an d'Objektdistanz konstruéiert ginn. De Mechanismus zugrondleeënd fänkt mat der mikrostrukturéierter Uewerfläch vum DOE un, déi d'transmittéiert Phas vum Laserstrahl ännert, wouduerch Phasenmodulatioun op déi afalend Wellefront ugewannt gëtt an se a verschidde Uerden opgedeelt gëtt.

Mat engem äusseren Duerchmiesser vun Φ25,4 mm (1 Zoll) an enger kloerer Apertur vun Φ12 mm ass dësen héichperformante DOE sou konzipéiert, datt en ouni Modifikatioun a Standard optomechanesch Halterunge passt. Wann e mat 532 nm grénge Laser benotzt gëtt, ännert en de raue Gaussesche Stral an e flaache Krees vun Φ60 µm, deen duerch schaarf Kanten, eenheetlech Bestrahlungsintensitéit a minimal Intensitéitsspëtze markéiert ass.

Déi 16-Level-Uewerflächenstruktur liwwert eng total Diffraktiounseffizienz vun >90% an eng Uniformitéit vun >90% RMS, wouduerch se gutt geegent ass fir d'Prezisiounsveraarbechtung vun Dënnschichten, Mikrobearbeitung a Produktioun vu medizineschen Apparater.