Produkt Highlight: Laserheizung fir d'Glühung vu Hallefleiterwaferen

Wafer-Glühung ass e wichtege Prozess an der Hallefleederherstellung, deen d'Aktivéierung vun Dopantien, d'Gitterrestauratioun an d'Bildung vun ultra-flaache Junctions (USJ) ëmfaasst. Konventionellt Uewenglühung a séier Thermoveraarbechtung (RTP) leiden ënner héijen thermesche Budgets, schlecht kontrolléierter Dopantiendiffusioun an inadequater Uniformitéit, wat se net genuch fir fortgeschratt Technologieknueten op 7 nm, 5 nm a méi mécht - besonnesch fir Gate-All-Around (GAA) Architekturen an 3D NAND Flash-Speicher. Laserbaséiert Wafer-Glühung, mat senger transienter Héichenergiebestrahlung, raimlecher Präzisioun a Mikrometerskala a minimaler thermescher Diffusioun, huet sech als den nächste Generatiouns-Kärprozess erausgestallt fir dës usprochsvoll Produktiounsufuerderungen ze erfëllen.

Kärprinzip vun der Laserheizung

De Laserheizkopf vu Wave Optics huet en eegent optescht Design, deen héichenergetescht, thermesch eenheetlecht Laserstrale fir präzis Bestrahlung vu Waferoberflächen liwwert. De grénge Laser bitt eng exzellent Absorptiounsanpassung mat Siliziumbaséierte Materialien (inklusiv SiC), wat eng héicheffizient Wärmebehandlung erméiglecht, ouni de Wafer ze beschiedegen. Dëst erliichtert d'Rekristallisatioun vun der ionenimplantéierter beschiedegter Schicht an eng effizient Dopantaktivéierung. Duerno erméiglecht déi héich Wärmeleitfäegkeet vum Substrat eng ultra-schnell Ofkillung, déi d'Gitterstruktur afréiert an d'Dopantdiffusioun ënnerdréckt. Dëse Prozess produzéiert erfollegräich ultra-flaach Verbindungen mat souwuel héijer Aktivéierungseffizienz wéi och engem steile (abrupten) Verbindungsprofil.

Laserheizungsglühung ass entscheedend fir d'Verbesserung vun der Waferveraarbechtungsausbezuelung

1. Stralenuniformitéit: D'Energieuniformitéit vum flaache Stralfleck iwwerschreit 95% (typesch), wouduerch lokal Iwwerschmëlzung oder Ënnerglühung eliminéiert gëtt.
2. Energiestabilitéit: Déi kontinuéierlech Schwankung vun der Ausgangsenergie ass ënner 2%, wat eng exzellent Konsistenz vu Wafer zu Wafer a Charge zu Charge garantéiert.
3. Uewerflächenfigurpräzisioun: Optesch Komponenten hunn PV/RMS-Wäerter op Nanometerniveau mat gutt kontrolléierter Wellefrontverzerrung, wat Hotspot-Schued verhënnert.
4. Fokusdéift a Strahlformung: Personnaliséiert Fokusdéift a Kombinatioun mat Homogeniséierung mam Strahlintegrator ënnerstëtzt Vollfeldscanning vu Wafere mat groussen Duerchmiesser.
5. Wellelängtenanpassung: Optimiséiert fir héichabsorptiounswellebänner vu Silizium an Hallefleeder vun der drëtter Generatioun (z.B. SiC, GaN) fir d'Energieeffizienz ze maximéieren.

Dräi Schlësselvirdeeler géintiwwer konventionellem Glühen

1. Excellent Ënnerdréckung vun der Dopantdiffusioun - D'thermesch Belaaschtung ass limitéiert op de Beräich vun Nanosekonnen bis Millisekonnen mat enger Dopantdiffusioun bal null, eng Fäegkeet, déi duerch Uewenglühung oder RTP net erreechbar ass.

2. Niddrege thermesche Budget a minimale Schued um Apparat - Nëmmen d'Waferuewerfläch erlieft transient héich Temperaturen, wat zu kenger thermescher Deformatioun vum Substrat oder den Apparatstrukturen a kenger Grenzflächendegradatioun féiert.

3. Präzisiounsselektiv Flächenglühung - Ofstëmmebar Strahlflecken op Mikronskala ënnerstëtzen lokaliséiert Glühung fir 3D-Integratioun an heterogen integréiert Apparater.

Applikatiounsszenarien

Zu den Uwendungen gehéieren d'Source/Drain-Aktivéierung, d'Kanalreparatur an d'ohmesch Kontaktglühung fir fortgeschratt Logik (GAA/CFET), DRAM/3D NAND, SiC/GaN-Energieversuergungskomponenten, SOI a Mikro-/Nanokomponenten. Laserglühung liwwert gläichzäiteg Verbesserungen am Ausbezuelungs- a Leeschtungsberäich vun den Apparater.

Laserglühung verlagert d'Waferveraarbechtung vum globale (Blanket-)Glühung zum präzisen lokalen Glühung. Seng mächteg optesch Technologie ënnerstëtzt déi weider Skalierung an Duerchbréch an der Leeschtung vun fortgeschrattene Hallefleederknäppchen.

Produktspezifikatiounsblat